ドライエッチングのイオン源:Si技術での反応性イオンビームエッチングの問題

SCHEER H-C

文献

J-GLOBAL ID：200902015733747691 整理番号：92A0419757

ドライエッチングのイオン源:Si技術での反応性イオンビームエッチングの問題

Ion sources for dry etching: Aspects of reactive ion beam etching for Si technology (invited).

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資料名：
巻： 63 号： 5 ページ： 3050-3057 発行年： 1992年05月
JST資料番号： D0517A ISSN： 0034-6748 CODEN： RSINAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコンVLSI技術での反応性イオンビームエッチング(RIB...

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固体デバイス製造技術一般 , 電子源,イオン源 , プラズマ応用

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