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J-GLOBAL ID：200902015734200459   整理番号：92A0272822

Model studies of dielectric thin film growth: CVD deposition of SiO2 from TEOS.

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著者 (5件)：
CROWELL J E

CROWELL J E について

(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について

, 
CHO H-C

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(Univ. California, CA, USA)

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CASCARANO F M

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(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について

, 
TEDDER L L

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(Univ. California, CA, USA)

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, 
LOGAN M A

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(Lam Research Corp., CA)

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資料名：
Semiconductor Silicon 1990  (Semiconductor Silicon 1990)

Semiconductor Silicon 1990 について


ページ： 215-222  発行年： 1990年 
JST資料番号： K19920040  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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CVD

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SiO2

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TEOS

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