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J-GLOBAL ID：200902018790179585   整理番号：92A0694385

STMによるGe/Siヘテロエピタキシャル成長過程の研究

A study on the Ge/Si heteroepitaxial growing process by STM.

著者 (3件)： 富取正彦 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  渡部宏治 (東京工大 大学院 総合理工学研究科) ,  西川治 (金沢工大 工)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-92  号： 15-21  ページ： 51-60  発行年： 1992年08月21日 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡(STM)の動作原理と装置について述べた...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...
準シソーラス用語： ヘテロエピタキシャル成長

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： STM ,  Ge ,  Si ,  成長過程 ,  研究