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J-GLOBAL ID：200902018944038823   整理番号：82A0051577

イオンビーム技術

Ion-beam technology.
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著者 (1件)：
HOFKER W K

HOFKER W K について

(Philips, Amsterdam)

Philips, Amsterdam について


資料名：
Philips Technical Review  (Philips Technical Review)

Philips Technical Review について


巻： 39  号： 11  ページ： 320-324  発行年： 1980年 
JST資料番号： D0315A  ISSN： 0031-7926  CODEN： PTREA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記技術は半導体へのドーピング技術として用いられ,また表面相...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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イオン注入

イオン注入 について

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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
放射線による構造と物性の変化一般 
(BK16121W)

放射線による構造と物性の変化一般 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
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イオンビーム

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