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J-GLOBAL ID:200902018944952037   整理番号:93A0016371

CdSの焼なましによるCuxS/CdS二層薄膜中の界面構造の変化 エリプソメトリーによる研究

Variations of interlayer structure in CuxS/CdS bilayer thin film with annealing of CdS: an ellipsometric study.
著者 (1件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 57-63  発行年: 1991年02月 
JST資料番号: T0142A  ISSN: 0250-4707  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: インド (IND)  言語: 英語 (EN)
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ガラス基板上に形成したCdS膜を100~300°Cで熱処理して...
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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