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J-GLOBAL ID：200902019003596065   整理番号：92A0717444

In-situ studies of the formation sequence of silicides during vacuum (10-7 torr) thermal annealing of Ti/polysilicon bilayers.

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著者 (3件)：
MA Z

MA Z について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL について

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ALLEN L H

ALLEN L H について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL について

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LEE S

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(NCR Corp., CO)

NCR Corp., CO について


資料名：
Interface Dynamics and Growth  (Interface Dynamics and Growth)

Interface Dynamics and Growth について


ページ： 661-665  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19920251  ISBN： 1-55899-131-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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Ti

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