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文献J-GLOBAL ID:200902019025335559整理番号:81A0334740

Epitaxial layer blocks unwanted charge in MOS RAMs.

MOS RAMにおける不要の電荷を阻止するエピタキシャル層

著者:RAO G R M(Texas Instruments Inc.)、WHITE JR L S(Texas Instruments Inc.)、GOSSEN R N(Texas Instruments Inc.)
資料名:Electronics 巻:54 号:13 ページ:103-105
発行年:1981年06月30日
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