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文献J-GLOBAL ID:200902019066696663整理番号:89A0169393

InGaAsP/InP laser diodes fabricated using p-type InP substrate.

p型InP基板を用いたInGaAsP/InPレーザダイオードの作製

著者:KAKIMOTO S(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)、TAKEMOTO A(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)、NAKAJIMA Y(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)・・・
資料名:Optoelectronics- Devices and Technologies 巻:3 号:2 ページ:197-225
発行年:1988年12月
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