文献
J-GLOBAL ID:200902019147549894   整理番号:91A0740286

p型SiにおけるH0の新しいトラップ

New traps for H0 in p-type Si.
著者 (3件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 121-125  発行年: 1991年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
先験的Hartree-Fock近似で,ほう素ドープおよび真性...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0740286&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0600B") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥  ,  不純物・欠陥の電子構造 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る