GaAs/AlGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタのイオン注入分離領域のベース-エミッタ漏れおよび再結合電流

HENDERSON T; BAYRAKTAROGLU B

文献

J-GLOBAL ID：200902019154864592 整理番号：93A0161121

GaAs/AlGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタのイオン注入分離領域のベース-エミッタ漏れおよび再結合電流

Base-emitter leakage and recombination current in an implant isolated region of a GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistor.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0161121&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0161121&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 72 号： 11 ページ： 5489-5492 発行年： 1992年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs/AlGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HB...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0161121&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

, , , , ,

前のページに戻る