n-GaAs方形量子井戸における熱い二次元電子の輸送パラメータに対するしゃへい効果の影響

ZANDLER G; VASS E

文献

J-GLOBAL ID：200902023215540458 整理番号：90A0157636

n-GaAs方形量子井戸における熱い二次元電子の輸送パラメータに対するしゃへい効果の影響

Influence of the screening effect onto the transport parameters of hot 2D electrons in n-GaAs square quantum wells.

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巻： 66 号： 7 ページ： 3121-3125 発行年： 1989年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

極性光学フォノンおよびイオン化不純物と相互作用をしている井戸...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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