文献
J-GLOBAL ID：200902023221819472   整理番号：89A0341617

半導体パワデバイスのプレーナパッシベーションの諸方法の比較

Vergleich verschiedener planarer Passivierungstechniken fuer Halbleiterleistungsbauelemente.
著者 (3件)：
BRIEGER K-P

BRIEGER K-P について

(AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU)

AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU について

, 
KOREC J

KOREC J について

(AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU)

AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU について

, 
THOMAS B

THOMAS B について

(AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU)

AEG Forschungsinst., Frankfurt, DEU について


資料名：
Electrical Engineering  (Electrical Engineering)

Electrical Engineering について


巻： 72  号： 2  ページ： 89-94  発行年： 1989年 
JST資料番号： A0448A  ISSN： 0948-7921  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： ドイツ語 (DE)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
45Ωcmのn-基板上に作った1600...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
不動態化

不動態化 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0341617&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0448A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
パワデバイス

パワデバイス について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM