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J-GLOBAL ID：200902023255136935   整理番号：84A0202478

反応性イオンプレーティング処理で作った耐熱化合物薄膜

Thin films of refractory compound prepared by reactive ion plating process.
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著者 (3件)：
MATSUMURA Y

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(Tokai Univ., Hiratsuka)

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YOSHIOKA T

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(Tokai Univ., Hiratsuka)

Tokai Univ., Hiratsuka について

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HUANG Y C

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(Tokai Univ., Hiratsuka)

Tokai Univ., Hiratsuka について


資料名：
Proceedings of the International Ion Engineering Congress, 1983, Vol.2  (Proceedings of the International Ion Engineering Congress, 1983, Vol.2)

Proceedings of the International Ion Engineering Congress, 1983, Vol.2 について


ページ： 1283-1288  発行年： 1983年 
JST資料番号： K19840044  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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活性化反応性蒸着法(ARE)と中空陰極放電電子ビーム蒸着法(...
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イオンプレーティング

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(WC03030E)

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化合物薄膜

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