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文献J-GLOBAL ID:200902023350738870整理番号:92A0046742

Technology Limitations for N+/P+ Polycide Gate CMOS due to Lateral Dopant Diffusion in Silicide/Polysilicon Layers.

N+/P+ポリサイドゲートCMOS素子のシリサイド/ポリシリコン層におけるドーパントの横方向拡散が原因の技術限界

著者:CHU C L(Stanford Univ., CA)、CHIN G(Stanford Univ., CA)、SARASWAT K C(Stanford Univ., CA)・・・
資料名:IEEE Electron Device Lett 巻:12 号:12 ページ:696-698
発行年:1991年12月
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