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J-GLOBAL ID：200902051241176016   整理番号：86A0070845

Czochralski法で作ったけい素中の600~800°Cにおける熱処理による酸素ドナー形成と酸素析出

Oxygen donor formation and oxygen precipitation in Czochralski silicon due to heat treatment at 600 to 800°C.
著者 (3件)：
GAWORZEWSKI P

GAWORZEWSKI P について

(Zentrum fuer Wissenschaftlichen Geraetebau der Akademie der Wissenschaften der DDR)

Zentrum fuer Wissenschaftlichen Geraetebau der Akademie der Wissenschaften der DDR について

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HILD E

HILD E について

(Research Inst. Telecommunication, Budapest)

Research Inst. Telecommunication, Budapest について

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SCHMALZ K

SCHMALZ K について

(Inst. Halbleiterphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR)

Inst. Halbleiterphysik der Akademie der Wissenschaften der DDR について


資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

Physica Status Solidi. A. Applied Research について


巻： 90  号： 2  ページ： K151-K156  発行年： 1985年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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格子間酸素原子Oiを種々の濃度で含むS...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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結晶引上法

結晶引上法 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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Czochralski法

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けい素

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熱処理

熱処理 について

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酸素

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ドナー

ドナー について

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析出

析出 について


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