局部的に光で励起する時の不純物補償した半導体の光応答

КАГАН М С; ЛАНДСБЕРГ Е Г; ЧЕРНЫШОВ И В

文献

J-GLOBAL ID：200902051342154668 整理番号：84A0361754

局部的に光で励起する時の不純物補償した半導体の光応答

Фотоотклик компенсированного полупроводника при локальном оптическом возбуждении.

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資料名：
巻： 18 号： 2 ページ： 212-216 発行年： 1984年02月
JST資料番号： R0267A ISSN： 0015-3222 CODEN： ETPPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

不純物補償したGeに強い電場を印加し,変調した光で局所的に励...

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光伝導,光起電力

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