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文献
J-GLOBAL ID:200902051359075494   整理番号:85A0034585

絶縁体-半導体構造における励起吸着色素分子と荷電欠陥の間のエネルギー遷移

Energy transfer between excited adsorbed dye molecules and charged defects in insulator-semiconductor structures.
著者 (3件):
資料名:
巻: 85  号:ページ: 273-281  発行年: 1984年09月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ゲルマニウムとけい素の酸化表面に吸着した,電子的に励起された...
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分類 (1件):
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その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】 

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