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J-GLOBAL ID：200902051375006044   整理番号：93A0865890

MOCVD growth and fabrication of InP-based detector and receiver array OEICs on 2′′ diameter wafers.

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著者 (5件)：
SMITH A D

SMITH A D について

(BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR)

BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR について

, 
SPEAR D A H

SPEAR D A H について

(BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR)

BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR について

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CURETON C G

CURETON C G について

(BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR)

BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR について

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BRIGGS A T R

BRIGGS A T R について

(BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR)

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THRUSH E J

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(BNR Europe Ltd. (STL), Essex, GBR)

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資料名：
Proceedings of the 14th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors and the Symposium on Large Area/Scale Epitaxy for 3-5 Device Fabrication, 1991  (Proceedings of the 14th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors and the Symposium on Large Area/Scale Epitaxy for 3-5 Device Fabrication, 1991)

Proceedings of the 14th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors and the Symposium on Large Area/Scale Epitaxy for 3-5 Device Fabrication, 1991 について


ページ： 35-45  発行年： 1991年 
JST資料番号： K19930511  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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InP

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