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J-GLOBAL ID：200902066700859226   整理番号：92A0809338

in-situ HClガスエッチングを用いたMOCVD AlGaAs上GaAs再成長

Regrowth interface of GaAs/AlGaAs by using in-situ HCl gas etching and MOCVD growth.

著者 (6件)： 杵築弘隆 (三菱電機) ,  早藤紀生 (三菱電機) ,  藤井就亮 (三菱電機) ,  影山茂己 (三菱電機) ,  三橋豊 (三菱電機) ,  室谷利夫 (三菱電機)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 231  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： HClガス ,  エッチング ,  MOCVD ,  AlGaAs ,  GaAs ,  再成長