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J-GLOBAL ID：200902078281383869   整理番号：91A0604998

MOCVD選択成長による埋め込み型GaAs細線構造の作製 II

Fabrication of Beried GaAs Wire-Structures using MOCVD Selective Growth. II.

著者 (4件)： 永宗靖 (東大) ,  塚本史郎 (東大) ,  西岡政雄 (東大) ,  荒川泰彦 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 38th  号： Pt 3  ページ： 1188  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  選択成長 ,  埋め込み ,  GaAs ,  細線 ,  作製