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J-GLOBAL ID：200902085487289440   整理番号：91A0601889

ZnSe/GaAsヘテロ原子価界面でのGa₂Se₃の評価

Characterization of Ga₂Se₃ at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces.

著者 (7件)： QIU J (Purdue Univ., Indiana) ,  MENKE D R (Purdue Univ., Indiana) ,  KOBAYASHI M (Purdue Univ., Indiana) ,  GUNSHOR R L (Purdue Univ., Indiana) ,  LI D (Purdue Univ., Indiana) ,  NAKAMURA Y (Purdue Univ., Indiana) ,  OTSUKA N (Purdue Univ., Indiana)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 58  号： 24  ページ： 2788-2790  発行年： 1991年06月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合での原子価が異なるにもかかわらず,ZnSe/GaAsエピ...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnSe ,  GaAs ,  ヘテロ原子 ,  界面 ,  評価