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J-GLOBAL ID：200902109517649655   整理番号：97A1036833

高性能高信頼性0.18μmデュアルゲートCMOS用グレイン成長制御ゲート電極技術

Gate Electrode Engineering by Control of Grain Growth for High Performance and High Reliable 0.18μm Dual Gate CMOS.

著者 (8件)： SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SAYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  FURUKAWA A (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NISHIDA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NISHIMURA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1997  ページ： 107-108  発行年： 1997年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いゲート酸化膜を持ったデュアルゲートCMOSの主要課題を克...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  高信頼性 ,  デュアルゲート ,  CMOS ,  グレイン成長 ,  ゲート電極