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J-GLOBAL ID：200902110473064563   整理番号：93A0649460

He希釈Si2H6を用いた熱CVDによるa-Si:H膜特性

Properties of a-Si:H Films Prepared by Thermal CVD from He Diluted Si2H6.

著者 (5件)： 佐々木敏明 (富士電機総研) ,  SICHANUGRIST P (富士電機総研) ,  大沢通夫 (富士電機総研) ,  市川幸美 (富士電機総研) ,  酒井博 (富士電機総研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 851  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： He ,  希釈 ,  Si2H6 ,  熱CVD ,  Si ,  膜特性