47GHz f<sub>t</sub> HBTと0.18μm L<sub>eff</sub>のCMOSを特徴とする0.24μm SiGe BiCMOS混合信号の無線通信用素子の生産技術

ST ONGE S A; HARAME D L; DUNN J S; STEIN K; GRAY P; JOHNSON R; LANZEROTTI L; ORNER B; ZIERA M

文献

J-GLOBAL ID：200902110571393133 整理番号：00A0147075

47GHz f_t HBTと0.18μm L_effのCMOSを特徴とする0.24μm SiGe BiCMOS混合信号の無線通信用素子の生産技術

A 0.24μm SiGe BiCMOS Mixed-Signal RF Production Technology Featuring a 47GHz f_t HBT and 0.18μm L_eff CMOS.

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Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)

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巻： 1999 ページ： 117-120 発行年： 1999年
JST資料番号： W0105A ISSN： 1088-9299 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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