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J-GLOBAL ID：200902110596971263   整理番号：00A0833303

Photoluminescence and Raman Studies of Silicon Ion Implantation Annealing in GaAs.

著者 (9件)： SRIPAD S (Indian Inst. Technol., Kharagpur) ,  BHUNIA S (Indian Inst. Technol., Kharagpur) ,  BOSE D N (Indian Inst. Technol., Kharagpur) ,  KUMAR K C (GAETEC Project, Hyderabad) ,  RAO A V S K (GAETEC Project, Hyderabad) ,  GOVINDACHARYULU P A (GAETEC Project, Hyderabad) ,  KHATRI R K (Solidstate Physics Lab., Delhi) ,  BHATTACHARYA B (Solidstate Physics Lab., Delhi) ,  BANDOPADHYAY A K (National Physical Lab., New Delhi)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 3975  号： Vol.1  ページ： 287-290  発行年： 2000年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs