文献

J-GLOBAL ID：200902122750213235   整理番号：94A0756846

ポリシリコン電極間埋め込み絶縁体(BIPS)を用いたディープサブミクロンフィールドアイソレーション

Deep Submicron Field Isolation with Buried Insulator between Polysilicon Electrodes (BIPS).

著者 (5件)： SHIMIZU M (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  TSUKAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  ARIMA H (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E77-C  号： 8  ページ： 1369-1376  発行年： 1994年08月 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールド酸化膜を使わないMOSFETの新しい素子分離法を開...

シソーラス用語： アイソレーション【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ポリシリコン ,  埋め込み ,  絶縁体