文献

J-GLOBAL ID：200902123126191649   整理番号：00A0544375

ダイナミックランダムアクセスメモリーに対する保持特性の主モードまたはテイルモードを形成する局所接合部の漏れ機構

Leakage Mechanism of Local Junctions Forming the Main or Tail Mode of Retention Characteristics for Dynamic Random Access Memories.

著者 (4件)： UENO S (ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN) ,  INOUE Y (ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN) ,  TSUBOUCHI N (ULSI Dev. Center, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 4B  ページ： 1963-1968  発行年： 2000年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に報告した局所接合の漏れ特性を測定する試験構造を用いて,...

シソーラス用語： *DRAM ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (6件)：

• 1) A. Hiraiwa, M. Ogasawara, N. Natsuaki, Y. Itoh and H. Iwai: J. Appl. Phys. 80 (1996) 3091.
• 2) T. Hamamoto, S. Sugiura and S. Sawada: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 1300.
• 3) H. Suzuki, M. Kojima and Y. Nara: Ext. Abstr. 1998 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1998) p. 32.
• 4) S. Ueno, T. Yamashita, H. Oda, S. Komori, Y. Inoue and T. Nishimura: Int. Electon Device Meet. Tech. Dig. (1998) p. 153.
• 5) G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen and M. P. G. Knuvers: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 331.

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイナミックランダムアクセスメモリー ,  保持特性 ,  接合部 ,  漏れ