文献

J-GLOBAL ID：200902128457575988   整理番号：97A0572054

不均一にドープしたチャネルを持つサブ1/4ミクロンWポリサイド二重ゲートCMOSの低電圧動作

Low Voltage Operation of Sub-Quarter Micron W-Polycide Dual Gate CMOS with Non-Uniformly Doped Channel.

著者 (7件)： SAYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIRAHATA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUMURA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1996  ページ： 583-586  発行年： 1996年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧動作するDRAMのロジックのために標記CMOSを新しく...

シソーラス用語： DRAM ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0572054&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不均一 ,  ドープ ,  チャネル ,  サブ ,  二重ゲート ,  CMOS ,  低電圧