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文献J-GLOBAL ID:200902131010362082整理番号:97A0008682

UHV-CVD Ge/Si(100) heteroepitaxy monitored by in situ ellipsometry.

UHV‐CVDによるGe/Siのヘテロエピタクシーのその場偏光解析法によるモニタ

著者:LARCIPRETE R(ENEA, Frascati(RM), ITA)、COZZI S(ENEA, Frascati(RM), ITA)、MASETTI E(ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA)・・・
資料名:Applied Surface Science 巻:102 ページ:52-56
発行年:1996年08月
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