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J-GLOBAL ID：200902131010362082   整理番号：97A0008682

UHV-CVDによるGe/Siのヘテロエピタクシーのその場偏光解析法によるモニタ

UHV-CVD Ge/Si(100) heteroepitaxy monitored by in situ ellipsometry.

著者 (4件)： LARCIPRETE R (ENEA, Frascati(RM), ITA) ,  COZZI S (ENEA, Frascati(RM), ITA) ,  MASETTI E (ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA) ,  MONTECCHI M (ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 102  ページ： 52-56  発行年： 1996年08月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4個の検出器型の偏光計に基づく安価な偏光解析計を用いてSi上...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  偏光測定と偏光計  (BD07050K)

タイトルに関連する用語 (7件)： UHV ,  CVD ,  Ge ,  Si ,  ヘテロエピタクシー ,  偏光解析法 ,  モニタ