ab-initio電子構造計算による低抵抗率のp型ZnSe及びGaNの作製における同時ドーピングの材料設計

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J-GLOBAL ID：200902131015399146 整理番号：97A0868720

Materials Design of the Codoping for the Fabrication of Low-Resistivity p-Type ZnSe and GaN by ab-initio Electronic Structure Calculation.

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資料名：
巻： 202 号： 2 ページ： 763-773 発行年： 1997年08月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

広いバンドギャップを持った低抵抗率のp型ZnSe及びGaNを...

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半導体の格子欠陥 , 半導体結晶の電子構造

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