文献

J-GLOBAL ID：200902131015858930   整理番号：01A0581062

1.2μmバンドで発光する高歪GaInAs/GaAs量子井戸を持つスーパールミネセンスダイオードの1.5W動作

1.5W Operation of Superluminescent Diode with Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Well Emitting at 1.2μm Band.

著者 (7件)： KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SCHLENKER D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  CHEN Z (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMATOYA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE International Semiconductor Laser Conference  (IEEE International Semiconductor Laser Conference)
巻： 17th  ページ： 71-72  発行年： 2000年 
JST資料番号： W1285A  ISSN： 0899-9406  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.2μmバンドで発光する,高歪GaInAs/GaAsのスー...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： スーパールミネセンスダイオード ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0581062&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1285A") }}

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  歪 ,  GaInAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  スーパールミネセンスダイオード