高性能セル技術 多ギガビット密度を有するサブ-100nmDRAMのフィーチャリング

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J-GLOBAL ID：200902131020977727 整理番号：03A0088505

高性能セル技術多ギガビット密度を有するサブ-100nmDRAMのフィーチャリング

High Performance Cell Technology Featuring Sub-100nm DRAM with Multi-Gigabit Density.

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資料名：
巻： 2002 ページ： 835-838 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体集積回路 , 固体デバイス製造技術一般

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