J-GLOBALについて

ENGLISH

文字サイズ
  • 小
  • 大

文献の詳細情報

文献J-GLOBAL ID:200902131022776800整理番号:01A0568255

Recombination enhanced defect reactions in 1MeV electron irradiated p InGaP.

1MeV電子を照射したp型InGaPにおける再結合促進欠陥反応

著者:KHAN A(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)、YAMAGUCHI M(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)、BOURGOIN J C(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)・・・
資料名:J Appl Phys 巻:89 号:8 ページ:4263-4268
発行年:2001年04月15日
  • J-GLOBALホームを見る
  • J-GLOBALをブックマークする

J-GLOBALでつながる、ひろがる、ひらめく

J-GLOBALについて

情報がつながる

J-GLOBALでは研究開発でキーとなる情報をつないでいます。例えば、文献と特許を人(著者・発明者)でつなぎ、そのつながりから次々と情報を取り出せます。
新たな気付きや、今まで見つからなかった情報の発見に役立ちます。

発想がひろがる

着目した情報が、連携する外部サイトリンクや内容が近い情報が見つかる関連検索でひろがります。
異分野の知識獲得や専門分野を超えた発想を支援します。

アイディアがひらめく

つながる・ひろがるの繰り返しから、思わぬ問題解決のヒントや新たなアイディアがひらめくキッカケを提供します。