文献
J-GLOBAL ID:200902131024236322   整理番号:96A0895859

電子サイクロトロンプラズマ化学蒸着で蒸着したナノ結晶シリコンの急速固相結晶化

Rapid solid phase crystallization of nanocrystalline silicon deposited by electron cyclotron plasma chemical vapor deposition.
著者 (5件):
資料名:
巻: 69  号: 13  ページ: 1873-1875  発行年: 1996年09月23日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
標記Si膜をAr+H2+SiH<sub...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0895859&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 

前のページに戻る