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J-GLOBAL ID：200902131034004039   整理番号：98A0798921

GaSe/MoS₂及びInSe/MoS₂ヘテロ構造基板上への選択成長によるC₆₀ナノ構造の作製

Fabrication of C₆₀ nanostructures by selective growth on GaSe/MoS₂ and InSe/MoS₂ heterostructure substrates.

著者 (4件)： UENO K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SASAKI K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKAHARA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOMA A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 130/132  ページ： 670-675  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂基板上に成長させたサブ単分子層...

シソーラス用語： *フラーレンC60 ,...
準シソーラス用語： セレン化ガリウム ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaSe ,  MoS2 ,  InSe ,  ヘテロ構造 ,  選択成長 ,  C60 ,  ナノ構造 ,  作製