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J-GLOBAL ID：200902131037069905   整理番号：97A0191253

半経験的トンネルモデルを使用した,MOS構造における実験的電流振動の解析

Analysis of experimental current oscillations in MOS structures using a semi-empirical tunneling model.

著者 (3件)： MIRANDA E (Univ. Buenos Aires, Buenos Aires, ARG) ,  FAIGON A (Univ. Buenos Aires, Buenos Aires, ARG) ,  CAMPABADAL F (Campus Univ. Auto ́noma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 41  号： 1  ページ： 67-73  発行年： 1997年01月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,MOS構造における非常に薄いか,または厚い熱酸化膜のト...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 経験 ,  トンネル ,  モデル ,  MOS構造 ,  実験 ,  電流振動 ,  解析