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J-GLOBAL ID：200902131037155160   整理番号：94A0124717

中性子を照射したMOVPE成長N-GaAsエピ層におけるUバンドの構造

Structure of the U-band in neutron irradiated MOVPE grown N-GaAs epilayers.
著者 (3件)：
WEBB J B

WEBB J B について

(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)

National Research Council Canada, Ottawa, CAN について

, 
YOUSEFI G H

YOUSEFI G H について

(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)

National Research Council Canada, Ottawa, CAN について

, 
KHANNA S M

KHANNA S M について

(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)

National Research Council Canada, Ottawa, CAN について


資料名：
Electronics Letters  (Electronics Letters)

Electronics Letters について


巻： 29  号： 22  ページ： 1994-1996  発行年： 1993年10月28日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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中性子照射MOVPE-GaAsについて,印加電圧と種々の中性...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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中性子照射

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,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOVPE

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分類 (1件)：
分類
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不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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中性子

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MOVPE

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成長

成長 について

, 
GaAs

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, 
エピ層

エピ層 について

, 
バンド

バンド について


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