文献
J-GLOBAL ID：200902131041644515
整理番号：97A0603792
О реализации состояния типа сильно легированного полностью компенсированного полупроводника в кристаллическом полупроводнике с глубокой примесной зоной.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
111
号：
2
ページ：
562-574
発行年：
1997年02月
JST資料番号：
R0135A
ISSN：
0044-4510
CODEN：
ZETFA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
ロシア (RUS)
言語：
ロシア語 (RU)
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