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J-GLOBAL ID：200902131043211780   整理番号：98A0481394

TCAとGeバッファーを用いたGaAs on SiのMBE成長

GaAs on Si with TCA and Ge psudomorphic buffer layers by MBE.

著者 (4件)： BASKAR K (Electrotechnical Lab.) ,  KAWANAMI H (Electrotechnical Lab.) ,  SAKATA I (Electrotechnical Lab.) ,  SEKIGAWA T (Electrotechnical Lab.)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 1  ページ： 279  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： TCA ,  Ge ,  バッファー ,  GaAs ,  Si ,  MBE成長