GS-MBE成長InAs/GaAs自己形成量子点のアニール効果

文献

J-GLOBAL ID：200902131046188380 整理番号：97A0524395

Control of InAs/GaAs self-assembled islands by annealing in GS-MBE.

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資料名：
巻： 44th 号： 0 ページ： 1344 発行年： 1997年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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