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J-GLOBAL ID：200902131050123978   整理番号：93A0873751

Growth and doping of GaN films by ECR-assisted MBE.

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著者 (2件)：
MOUSTAKAS T D

MOUSTAKAS T D について

(Boston Univ., MA)

Boston Univ., MA について

, 
MOLNAR R J

MOLNAR R J について

(Boston Univ., MA)

Boston Univ., MA について


資料名：
Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications  (Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications)

Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications について


ページ： 753-763  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930493  ISBN： 1-55899-176-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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GaN

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MBE

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