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文献
J-GLOBAL ID:200902131051506196   整理番号:00A0845183

ギガスケール集積回路に用いる,マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高ロバスト性超薄シリコン窒化膜の低温成長

Highly Robust Ultrathin Silicon Nitride Films Grown at Low-Temperature by Microwave-Excitation High-Density Plasma for Giga Scale Integration.
著者 (4件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 1370-1374  発行年: 2000年07月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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