InAs/AlSb共鳴トンネルダイオードの障壁厚さの光電子放出振動測定

ZINCK J J; CHOW D H; SCHULMAN J N; DUNLAP H L

文献

J-GLOBAL ID：200902131054522796 整理番号：96A0278736

InAs/AlSb共鳴トンネルダイオードの障壁厚さの光電子放出振動測定

Photoemission oscillation measurement of barrier thickness for InAs/AlSb resonant tunneling diodes.

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資料名：
巻： 68 号： 10 ページ： 1406-1408 発行年： 1996年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InAs/AlSb共鳴トンネル構造の成長に光電子放出振動法を...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 光電子放出 , ダイオード

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