クラスタビーム蒸着によるSi基板上のGeエピタクシー成長の研究

文献

J-GLOBAL ID：200902131055452112 整理番号：02A0506519

Study of Ge epitaxial growth on Si substrates by cluster beam deposition.

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資料名：
巻： 240 号： 3/4 ページ： 407-414 発行年： 2002年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

クラスタービーム成長法によりSi(111)基板上に妥当な品質...

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半導体薄膜

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