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J-GLOBAL ID：200902134346190653   整理番号：96A0706156

VLSIシンポから3セッションを報告 強誘電体不揮発メモリ/トレンチ素子分離/低k絶縁膜

3 Sessions Report from VLSI Symposium.

著者 (3件)： 中込儀延 (日立) ,  犬石昌秀 (三菱電機 ULSI開研) ,  ANAND M B (東芝)
資料名： 月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)
巻： 15  号： 8  ページ： 42-46  発行年： 1996年08月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 紹介的記事  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1996年6月11~15日までハワイのホノルルにおいて開かれ...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： VLSI ,  シンポ ,  セッション ,  報告 ,  強誘電体 ,  不揮発メモリ ,  トレンチ ,  素子分離 ,  絶縁膜