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J-GLOBAL ID:200902141888144891   整理番号:96A0622158

AlxGa1-xAs:Sn/GaAs変調ドープヘテロ構造の負性光伝導率

Negative photoconductivity of AlxGa1-xAs:Sn/GaAs modulation-doped heterostructures.
著者 (3件):
資料名:
号: 145  ページ: 517-522  発行年: 1996年 
JST資料番号: E0403B  ISSN: 0305-2346  CODEN: IPHSAC  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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様々な光照射下で温度に依存したHall効果測定を,Al<su...
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分類 (2件):
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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