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J-GLOBAL ID：200902141888144891   整理番号：96A0622158

Al_xGa_1-xAs:Sn/GaAs変調ドープヘテロ構造の負性光伝導率

Negative photoconductivity of Al_xGa_1-xAs:Sn/GaAs modulation-doped heterostructures.

著者 (3件)： PENG Z (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SAKU T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  HORIKOSHI Y (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 145  ページ： 517-522  発行年： 1996年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な光照射下で温度に依存したHall効果測定を,Al<su...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,...
準シソーラス用語： DX中心

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sn ,  GaAs ,  変調ドープ ,  ヘテロ構造 ,  光伝導率