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J-GLOBAL ID：200902141949320167   整理番号：99A0618739

Ga_1-xAl_xSb/GaSbエピタクシー接合におけるVegard則の妥当性の評価

Assessment of Vegard’s law validity in the Ga_1-xAl_xSb/GaSb epitaxial system.

著者 (9件)： GERMINI F (MASPEC Inst., CNR, Parma, ITA) ,  BOCCHI C (MASPEC Inst., CNR, Parma, ITA) ,  FERRARI C (MASPEC Inst., CNR, Parma, ITA) ,  FRANCHI S (MASPEC Inst., CNR, Parma, ITA) ,  BARALDI A (Univ. Parma, parma, ITA) ,  MAGNANINI R (Univ. Parma, parma, ITA) ,  DE SALVADOR D (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BERTI M (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  DRIGO A V (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 32  号： 10A  ページ： A12-A15  発行年： 1999年05月21日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb基板上にMBE法によって成長させたGa<sub>1-...

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,...
準シソーラス用語： Vegard則

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaSb ,  エピタクシー ,  Vegard則 ,  妥当性 ,  評価