文献

J-GLOBAL ID：200902141953671675   整理番号：99A0098837

新しいフローティング・チャネル技術によるSOI構造の“超高電圧集積化”

“Very High Voltage Integration” in SOI Based on a New Floating Channel Technology.

著者 (3件)： PLIKAT R (Univ. Bremen, Bremen) ,  SILBER D (Univ. Bremen, Bremen) ,  WONDRAK W (Daimler Benz AG, Frankfurt/Main)
資料名： Proceedings. IEEE International SOI Conference  (Proceedings. IEEE International SOI Conference)
巻： 1998  ページ： 59-60  発行年： 1998年 
JST資料番号： W0784A  ISSN： 1078-621X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スマート・パワーICの高耐圧デバイスの集積化に有効なSOI構...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： フローティングチャネル ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0098837&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0784A") }}

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル ,  SOI構造 ,  超高電圧 ,  集積化