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J-GLOBAL ID：200902141954270615   整理番号：93A0649187

Si上Ge薄膜の酸化過程 (4) MEISによる構造変化の解析

Oxidation of a thin Ge layer on Si(4): MEIS observation of layer structure transition.

著者 (5件)： 西岡孝 (NTT 基礎研) ,  PRABHAKARAN K (NTT 基礎研) ,  住友友二 (NTT 基礎研) ,  小林慶裕 (NTT 基礎研) ,  荻野俊郎 (NTT 基礎研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 700  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  Ge ,  薄膜 ,  酸化 ,  過程 ,  Meis ,  構造変化 ,  解析