文献

J-GLOBAL ID：200902141968326591   整理番号：02A0659919

CWラテラル結晶化(CLC)技術による移動度500cm²/Vsを超える新低温ポリSi TFT技術

A New Low-Temperature Poly-Si TFT Technology Realizing Mobility above 500cm²/Vs by Using CW Laser Lateral Crystallization (CLC).

著者 (7件)： 佐々木伸夫 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  原明人 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  竹内文代 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  菅勝行 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  竹井美智子 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  吉野健一 (富士通研 シリコンテクノロジ研) ,  千田満 (富士通研 シリコンテクノロジ研)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C  号： 8  ページ： 601-608  発行年： 2002年08月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガラス基板を用いる低温ポリSi TFT用に,CW固体レーザを...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0659919&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0623C") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• 古川静二郎(編著). SOI構造形成技術. 1987
• SASAKI, N. Feasibility of 3D integration. European Transactions on Telecommunications and Related Technologies. 1990, 1, 137
• HARA, A. Limit of the mobility enhancement of the excimer-laser-crystallized low-temperature poly-Si TFTs. IEDM'99 Tech. Drgest. 1999, 301
• HARA, A. Selective single-crystalline-silicon growth at the pre-defined active regions of TFTs on a glass by a scanning CW laser irradiation. IEDM'00 Tech. Digest. 2000, 209
• MENG, Z. Application of metal-induced unilaterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor technology to active-matrix organic light-emitting diode. IEDM'00 Tech. Digest. 2000, 611

タイトルに関連する用語 (7件)： CW ,  結晶化 ,  移動度 ,  Vs ,  低温 ,  ポリSi ,  TFT